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Persistent Identifier
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doi:10.25824/redu/NU3C6R |
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Publication Date
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2026-04-24 |
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Title
| Conjunto de dados para caracterização de Siliceto de Níquel-Platina para uso em tecnologia CMOS |
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Author
| Cioldin, Frederico Hummel (Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologias) - ORCID: https://orcid.org/0009-0009-7200-2914
Diniz, José Alexandre (Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação) - ORCID: https://orcid.org/0000-0003-3274-3303
César, Rodrigo Reigota (Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologias) - ORCID: https://orcid.org/0000-0002-6671-1230 |
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Point of Contact
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Cioldin, Frederico Hummel (Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologias)
Diniz, José Alexandre (Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação) |
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Description
| Este conjunto de dados reúne informações primárias obtidas a partir da fabricação e caracterização de filmes finos de siliceto de níquel-platina (NiPtSi) depositados sobre substratos de silício, no contexto de processos de micro e nanofabricação. Os dados abrangem diferentes condições experimentais, incluindo variações de espessura, composição, tratamentos térmicos e parâmetros de processo, organizadas em grupos experimentais sistemáticos. As informações contemplam resultados de múltiplas técnicas de caracterização, como difração de raios X (XRD/GIXRD) para análise estrutural e identificação de fases, microscopia de força atômica (AFM) para avaliação morfológica e de rugosidade, microscopia eletrônica de varredura (SEM) para análise superficial, espectroscopia Raman para investigação de fases e tensões, além de medições elétricas (resistividade por quatro pontas). O conjunto foi estruturado para permitir a correlação entre parâmetros de processamento e propriedades estruturais, morfológicas e elétricas dos filmes, possibilitando análises comparativas, identificação de tendências de formação de fases e avaliação de desempenho dos silicetos formados. Esses dados são adequados para estudos em engenharia de materiais e dispositivos semicondutores, contribuindo para a compreensão dos mecanismos de formação de silicetos, otimização de processos térmicos e desenvolvimento de contatos metálicos avançados para tecnologias CMOS. (2026-04-10) |
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Subject
| Engineering; Physics |
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Keyword
| Microtechnology (DLC (LCSH))
Silicon (DLC (LCSH))
Nickel-platinum alloys
Metallization
Heat treatment (DLC (LCSH))
Materials (Compendex) |
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Related Publication
| HUMMEL CIOLDIN, Frederico. Formação e caracterização de filmes finos de NiPtSi sobre Si: efeitos de parâmetros de processamento e tratamento térmico. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Campinas, Campinas, 2026.
Raman study of Nickel-Platinum Silicide formed by RTP process,FH Cioldin, MVP Dos Santos, I Doi, JA Diniz, A Flacker, M Rautember, 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2013), 1-4 doi: 10.1109/SBMicro.2013.6676175 https://ieeexplore.ieee.org/document/6676175
Study of the phase transitions of Nickel Platinum Silicide obtained by sputtering and rapid thermal processing, FH Cioldin, JA Diniz, AR Vaz, GA Calligaris, LP Cardoso, I Doi 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 1-4. doi: 10.1109/SBMicro.2017.8113007 https://ieeexplore.ieee.org/document/8113007 |
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Language
| Portuguese |
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Producer
| Hummel CIoldin, Frederico (CCSNano) |
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Funding Information
| No Funder: 0000 |
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Depositor
| Hummel Cioldin, Frederico |
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Deposit Date
| 2026-04-10 |
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Declarações obrigatórias sobre ética e privacidade
| o projeto que gerou os dados foi aprovado pelo Comite de Ética em Pesquisa da Unicamp ou não envolve questões que requeiram tal aprovação; os dados que serão depositados estão de acordo com a LGPD (Lei Geral de Proteção de Dados) |