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Sep 8, 2025
Silva, Denison Rodrigo Ferreira; Guerreiro, Joel Filipe; Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos, 2025, "Perdas por comutação na tecnologia de MOSFET de carbeto de silício utilizando o teste de duplo pulso", https://doi.org/10.25824/redu/ZAXBPV, Repositório de Dados de Pesquisa da Unicamp, V1, UNF:6:XM+hzC+oD63PCVZ/CHKuBQ== [fileUNF]
A tecnologia de MOSFETs de carbeto de silício (SiC) vem ganhando destaque na eletrônica de potência por operar em altas temperaturas, comutação em alta frequência e maior eficiência em relação aos dispositivos de silício (Si), permitindo maior densidade de potência e redução no t...
Tabular Data - 3.0 MB - 3 Variables, 99999 Observations - UNF:6:+rbmBFMHOMXe8DO5Ro/O9A==
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